Micron is preparing multi-layer 3D GDDR memory for next-generation graphics accelerators - ETNews

Портал Videocardz со ссылкой на данные издания ETNews сообщает, что Micron разрабатывает новый тип памяти GDDR с инновационной конструкцией.
Новые чипы будут отличаться от других микросхем класса GDDR за счет многослойной компоновки, напоминающей строение памяти стандарта HBM. По данным журналистов, Micron может приступить к тестовому производству нового типа DRAM уже во второй половине этого года. Данная память ориентирована в первую очередь на сегмент графических ускорителей для искусственного интеллекта.
В ETNews утверждают, что Micron стремится создать продукт, который выдает более высокую пропускную способность, чем существующие микросхемы GDDR, но при этом не будет столь дорог в производстве, как память формата HBM. А авторы Videocardz подчеркивают, что если «пузырь ИИ» лопнет до того, как Micron начнет поставки этого продукта, то его вполне могут начать использовать в обычных потребительских видеокартах.